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長禾實驗室檢測能力范圍 業(yè)務挑戰(zhàn) 隨著技術發(fā)展，第三代半導體功率器件開始由實驗室階段步入商業(yè)應用，未來應用潛力巨大。通常這些新型器件測試要求更高的電壓和功率水平，更快的開關時間。廣電計量積布局第三代半導體功率器件的測試業(yè)務，引進國際的測試技術，為功率半導體產業(yè)上下游企業(yè)提供器件參數檢測服務，助力器件國產化、高新化發(fā)展。 測試周期： 根據標準、試驗條件及被測樣品量確定 服務內容： 覆蓋MIL-STD-750，IEC 60747系列，GB/T29332等標準；服務內容包括：靜態(tài)參數，動態(tài)參數，熱特性，雪崩耐量，短路特性及絕緣耐壓測試；設備支持0-1500A，0-3000V的器件參數檢測。 | |||||
| 1 | 功率金屬氧化物場效應管 | 1 | 漏源間反向擊穿電壓 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3407.1 | 只測： -3.5kV～3.5kV |
| 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3407 | 只測： -3.5kV～3.5kV | ||||
| 2 | 通態(tài)電阻 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3421.1 | 只測： 0～10k?,,0～1500A | ||
| 3 | 閾值電壓 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3404 | 只測： -10V～10V | ||
| 4 | 漏反向電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3415.1 | 只測： -100mA～100mA | ||
| 5 | 柵漏電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只測： -100mA～101mA | ||
| 6 | 體二管壓降 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4011.4 | 只測： 0A～1500A | ||
| 7 | 跨導 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只測： 1ms～1000s | ||
| 8 | 開關時間 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3472.2 | 只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A | ||
| 9 | 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3472 | 只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A | |||
| 10 | 體二管反向恢復時間 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只測： 10ns～2μs | ||
| 11 | 體二管反向恢復電荷 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只測： 1nC～100μC | ||
| 12 | 柵電荷 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3471.3 | 只測： Qg：0.5nC～500nC | ||
| 13 | 單脈沖雪崩能量 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3470.2 | 只測： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A | ||
| 14 | 柵串聯(lián)等效電阻 | 功率MOSFET柵串聯(lián)等效電阻測試方法 JESD24-11:1996(R2002) | 只測： 0.1Ω～50Ω | ||
| 15 | 穩(wěn)態(tài)熱阻 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3161.1 | 只測： Ph：0.1W～250W | ||
| 16 | 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3161 | 只測： Ph：0.1W～250W | |||
| 17 | 輸入電容 | 半導體器件 分立器件 第8部分：場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 18 | 輸出電容 | 半導體器件 分立器件 第8部分：場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 19 | 反向傳輸電容 | 半導體器件 分立器件 第8部分：場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 20 | 老煉試驗 | 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 | 只測： 條件A、條件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃ | ||
| 21 | 溫度，反偏和操作壽命試驗 JESD22-A108F:2017 | 只測： HTRB和HTGB試驗 | |||
| 22 | 間歇功率試驗 | 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 | 只測： 條件D（間歇功率） | ||
| 23 | 穩(wěn)態(tài)功率試驗 | 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 | 只測： 條件C（穩(wěn)態(tài)功率） | ||
| 2 | 二管 | 1 | 反向漏電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4016.4 | 只測： 0～100mA |
| 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 4016 | 只測： 0～100mA | ||||
| 2 | 反向擊穿電壓 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4021.2 | 只測： 0～3.5kV | ||
| 3 | 正向壓降 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4011.4 | 只測： IS：0A～6000A | ||
| 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 4011 | 只測： IS：0A～6000A | ||||
| 4 | 浪涌電流 | 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 4066 | 只測： If：0A～9000A | ||
| 5 | 反向恢復電荷 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只測： 1nC～100μC | ||
| 反向恢復時間 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 | 只測： 10ns～2us | |||
| 6 | 二管反壓變化率 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3476 | 只測： VR：5V～3300V， IF：1A～1500A | ||
| 7 | 單脈沖雪崩能量 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4064 | 只測： L：0.01mH～159.9mH， IAS：0.1A～1500A | ||
| 穩(wěn)態(tài)熱阻 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3136 | 只測： Ph：0.1W～80W | |||
| 8 | 總電容電荷 | 半導體器件 分立器件和集成電路 第2部分:整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 9 | 結電容 | 半導體器件 分立器件和集成電路 第2部分:整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.8 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 3 | 晶閘管 | 1 | 門觸發(fā)電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4221.1 | 只測： 100nA～500mA |
| 2 | 門觸發(fā)電壓 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4221.1 | 只測： 5mV～5V | ||
| 3 | 維持電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4201.2 | 只測： 10μA～1.5A | ||
| 4 | 擎住電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4201.2 | 只測： 10μA～1.5A | ||
| 5 | 浪涌電流 | 半導體測試方法測試標準 JB/T 7626-2013 | 只測： ITSM：0A～9000A | ||
| 6 | 正向漏電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4206.1 | 只測： 1nA～100mA | ||
| 7 | 反向漏電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4211.1 | 只測： 1nA～100mA | ||
| 8 | 正向導通壓降 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4226.1 | 只測： IT：0～6000A | ||
| 9 | 穩(wěn)態(tài)熱阻 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3181 | 只測： Ph：0.1W～250W | ||
| 4 | 晶體管 | 1 | 直流增益 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3076.1 | 只測： 1～50000 |
| 2 | 集射飽和壓降 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3071 | 只測： 0～1250A | ||
| 3 | 集射電關態(tài)電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3041.1 | 只測： 0～100mA | ||
| 4 | 集基電關態(tài)電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3036.1 | 只測： 0～100mA | ||
| 5 | 射基關態(tài)電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3061.1 | 只測： 0～100mA | ||
| 6 | 集射反向擊穿電壓 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3011.2 | 只測： -3.5kV～3.5kV | ||
| 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3011 | 只測： -3.5kV～3.5kV | ||||
| 7 | 集基反向擊穿電壓 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3001.1 | 只測： -3.5kV～3.5kV | ||
| 8 | 射基反向擊穿電壓 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3026.1 | 只測： -3.5kV～3.5kV | ||
| 9 | 基射電壓 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3066.1 | 只測： 0V～1250A | ||
| 10 | 穩(wěn)態(tài)熱阻 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3131.6 | 只測： Ph：0.1W～250W | ||
| 5 | 絕緣柵雙型晶體管 | 1 | 集射間反向擊穿電壓 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3407.1 | 只測： -3.5kV～3.5kV |
| 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3407 | 只測： -3.5kV～3.5kV | ||||
| 2 | 通態(tài)電壓 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3405.1 | 只測： 0～1500A | ||
| 3 | 通態(tài)電阻 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3421.1 | 只測： 0～10k? | ||
| 4 | 集電反向漏電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3415.1 | 只測： 0～100mA | ||
| 5 | 柵漏電流 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3411.1 | 只測： 0～100mA | ||
| 6 | 跨導 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3475.2 | 只測： 1ms～1000s | ||
| 7 | 開關時間&損耗 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3477.1 | 只測： VD：5V～3.3kV， ID：0.5A～1500A | ||
| 半導體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12 | 只測： 5V～3.3kV | ||||
| 8 | 短路耐受時間 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3479 | 只測： ISC：10A～5000A ， TSC：1us～50us | ||
| 半導體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.2.6 | 只測： 5V～3.3kV | ||||
| 9 | 柵電荷 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3471.3 | 只測： Qg：0.5nC～100uC | ||
| 半導體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.9 | 只測： 5V～3.3kV | ||||
| 10 | 二管反向恢復時間 | 半導體器件 分立器件 第2部分：整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.6 | 只測： 5V～3.3kV | ||
| 11 | 單脈沖雪崩能量 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3470.2 | 只測： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A | ||
| 12 | 柵串聯(lián)等效電阻 | 功率MOSFET柵串聯(lián)等效電阻測試方法 JESD24-11:1996(R2002) | 只測： 0.1Ω～50Ω | ||
| 13 | 穩(wěn)態(tài)熱阻 | 半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3103 | 只測： Ph：0.1W～250W | ||
| 16 | 輸入電容 | 半導體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.6 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 17 | 輸出電容 | 半導體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.7 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 18 | 反向傳輸電容 | 半導體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.8 | 只測： -3kV～3kV,0～1MHz | ||
| 19 | 反偏安全工作區(qū) | 半導體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.2.5 | 只測： 5V～3.3kV | ||
| 6 | 通用電子產品 | 1 | 高低溫循環(huán)試驗 | 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1051 | 只測： 溫度： -80℃～150℃， 容積： 40cm×37.5cm×40cm |
| 溫度循環(huán) JESD22-A104E:2014 | 只測： 溫度： -80℃～150℃， 容積： 40cm×37.5cm×40cm | ||||
| 2 | 高溫試驗 | 微電子器件試驗方法和程序 GJB 548B-2005 1008.1 | 只測溫度：200℃， 容積： 61cm×90cm×60cm | ||
| 半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1031, 1032 | 只測溫度：200℃， 容積： 61cm×90cm×60cm | ||||
| 電工電子產品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗B：高溫 GB/T 2423.2-2008 | 只測溫度：200℃， 容積： 61cm×90cm×60cm | ||||
| 3 | 低溫試驗 | 電工電子產品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法 試驗A：低溫 GB/T 2423.1-2008 | 只測溫度：-70℃， 容積： 40cm×37.5cm×40cm | ||
| 4 | 高溫存儲壽命試驗 | 高溫存儲壽命試驗 JESD22-A103E:2015 | 只測溫度：180℃， 容積： 58cm×76cm×75cm | ||
| 5 | 低溫存儲壽命試驗 | 低溫存儲壽命試驗 JESD22-A119A:2015 | 只測溫度：-70℃， 容積： 40cm×37.5cm×40cm | ||
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